支持云端升级，1024KB flash，"自定义数据" 存储方案如何规划？

[Goland]

程序运行中有些一条一条的数据需要保存在flash中，每条数据假定123byte，数据总条数假定是100。循环使用.
写过程: 每次会读写一条数据，然后再 修改一个pointer（4byte）,指向最后一条数据。
使用读写保护机制，即用system_param_load（）读，用system_param_save_with_protect（）写，
使用1024KB flash，支持云端升级，
我看了文档 2A-ESP8266__IOT_SDK_User_Manual__CN_v1.3.0.pdf，1024K分为两半，我的user1.bin小于240KB，
是不是数据存储可以从：4K+240K开始存储？即 0x3D开始？system_param_save_with_protect(0x3D, void *data, 123)
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但这里先假定从4K+492KB开始存储，即 0x7C开始，
#define DATA_RECORD_POINTER_ADDR 0X7C // 数据pointer 位置,固定， 为了保存4byte数据，要使用3*4 KB的空间？
#define DATA_RECORD_START_ADDR 0X7F // 数据 起始位置
第1条数据 addr 0x7F， system_param_save_with_protect(0x7F, void *data, 123)
第2条数据 DATA_RECORD_START_ADDR+3=0x82， system_param_save_with_protect(0x82, void *data, 123)
第3条数据 DATA_RECORD_START_ADDR+6=0x85，system_param_save_with_protect(0x85, void *data, 123)
。。。
第100条数据的addr是 0x7F + 100*3=0x1AB, system_param_save_with_protect(0x1AB, void *data, 123)
为了保存 123byte的数据，使用了3*4 KB的空间，100条数据共使用100*12KB空间，
好像不对，请指导怎么规划这种存储，谢谢！

[Goland]

刚才优化了一下数据，现在单条数据长度是40byte，100条 共占用4000byte，不到 1个sector，
而“user param”区是16KB的，4个 sector，所以可以将数据 带“读写保护机制” 保存在这里（占了3个sector）。
是否可以像下面这样操作？
将数据pointer(4byte) 与 全部数据 合并存储 在一个 sector里，
每次改写数据时，先malloc(4KB), 将 1个 sector的数据全部读回，
做处理，将修改后的 数据 再次 全部写回，
但觉得这样读写，为了修改部分数据，而实际上读写了 所有数据，效率是不是有些问题？